Matrices de transistors FET DMOS à haut-rendement

16 mars 2016 //Par A. Dieul
Matrices de transistors FET DMOS à haut-rendement
Dotées des premiers drivers de type FET DMOS à sortie-source "Push" et sortie-puits "Pull" du marché actuel, les matrices de transistors à haut-rendement TBD62783A et TBD62083A de Toshiba Electronics remplacent les séries TD62783 et TD62083 de matrices de transistors bipolaires en réduisant les pertes d'environ 40%.

Les demandes pour les développements de systèmes comme des alimentations ou des commandes "MARCHE/ARRÊT" qui combinent des produits à sortie source et à sortie puits, sont en pleine augmentation.

Ces matrices de transistors FET DMOS couvrent les deux types de sortie. Elles fonctionnent sans courant de base, réduisant ainsi les courants d'entrée. Avec leur capacité d'accepter des densités de courant élevées tout en maintenant une faible résistance à l'état passant, elles augmentent le rendement et garantissent de faibles pertes énergétiques. Elles supportent des tensions élevées et un courant important de valeurs nominales maximum de 50 V/ 0.5 A en sortie.

Ces composants sont encapsulés dans différents types de boîtiers, notamment DIP18, SOP18 et SOL18 pour le montage en surface (CMS), ou encore SSOP18 au pas de 0.65 mm pour les applications où l'espace est limité. Afin d'obtenir ces hauts niveaux d'intégration, ils utilisent la toute dernière technologie de semi-conducteur BiCD regroupant des dispositifs bipolaires, CMOS, et DMOS sur le même support.

Ces matrices trouveront leur utilisation dans un large éventail d'applications, notamment le pilotage de moteurs, de relais ou de LED.

https://www.toshiba.semicon-storage.com/


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