X-FAB double sa capacité SiC pour rester leader mondial

02 septembre 2018 //Par A Delapalisse
X-FAB double sa capacité SiC pour rester leader mondial
X-FAB Silicon Foundries la Fab spécialisée en circuits analogiques et mixtes a annoncé son intention de doubler sa capacité de traitement 6 pouces carbure de silicium (SiC) dans son usine de Lubbock, au Texas, en réponse à la demande croissante de semi-conducteurs de puissance à haut rendement.

En vue de doubler la capacité, le groupe a acheté un deuxième implanteur ionique pour la fabrication de plaquettes de SiC de 6 pouces. La livraison de cet implanteur d'ions est attendue pour la fin de 2018 et le lancement de la production est prévu au cours du premier trimestre de 2019 pour répondre à la demande prévue à court terme. X-FAB a été la première fonderie de plaquettes à offrir la fabrication de SiC sur des tranches de 6 pouces. Ce doublement de la capacité du procédé SiC de X-FAB conforte sa stratégie consistant à rester la première fonderie de plaquettes SiC de 6 pouces et démontre l’engagement de la société en faveur de la technologie SiC et du modèle commercial de la fonderie SiC.

Les avantages des capacités de traitement SiC de 6 pouces de X-FAB pour les semi-conducteurs de puissance incluent un meilleur fonctionnement à haute tension, une résistance On du transistor nettement inférieure, des pertes de transmission et de commutation nettement plus basses, un fonctionnement à température plus élevée, jusqu'à 204 °C et une conductivité thermique plus élevée un fonctionnement à très haute fréquence et capacité parasitaire inférieure. Les capacités de traitement SiC de X-FAB permettent aux clients de réaliser des dispositifs à semi-conducteurs de puissance à haut rendement, notamment des transistors MOSFET, JFET haute puissance et des diodes Schottky de puissance .
 


Vous êtes certain ?

Si vous désactivez les cookies, vous ne pouvez plus naviguer sur le site.

Vous allez être rediriger vers Google.