Winbond arrive sur le marché HyperRAM: Page 2 of 3

07 novembre 2019 //Par A.Dieul
Winbond arrive sur le marché HyperRAM
La croissance rapide des marchés de l’électronique automobile, de l’industrie 4.0 et des applications domotiques intelligentes va donner naissance à de nouveaux appareils IoT et des interfaces homme-machine exigeants quant à la taille, la consommation et la performance. C’est pourquoi de nombreux fabricants de microcontrôleurs développent de nouvelles générations de processeurs plus performants et moins gourmands en énergie. Mais sur le plan du système global la RAM qui travaille avec le processeur réclame elle aussi de nouvelles caractéristiques pour s’imposer face aux SDRAM ou pSRAM existantes.
consommation en Standby est de 90uW@1.8V, quand celle d’une SDRAM de même capacité tourne autour de 2000uW@3.3V. Plus important, la consommation de l’HyperRAM n’est que de  45uW@1.8V en mode Hybrid Sleep, qui est nettement différent du mode Standby des SDRAM. Et si l’on choisit une SDRAM Low Power le facteur de forme est plus désavantageux que pour l’HyperRAM, la SDRAM Low Power occupant plus de place sur le circuit imprimé.

Par ailleurs l’HyperRAM n’a que 13 signaux d’E/S, ce qui simplifie grandement le routage des signaux sur la carte. Cela permet aussi au microcontrôleur de disposer de plus de signaux pour d’autres fonctionnalités, ou d’utiliser un microcontrôleur plus compact pour un coût encore plus compétitif.

La simplification de l’interface de commande est une autre caractéristique de l’HyperRAM. S’appuyant sur une architecture de pSRAM, HyperRAM est une mémoire à rafraîchissement autonome. Elle peut par surcroît basculer en mode Standby automatiquement. Au final la mémoire système est plus facile à utiliser, et le développement du firmware et des pilotes logiciels est simplifiée. 

Un renforcement de l’écosystème HyperRAM

Sierra Lai, Directeur Marketing de la division of DRAM chez Winbond, a ajouté que les process de fabrication des microcontrôleurs passent de 55nm et 40nm à 28nm et même 16nm. Si cette réduction permet de suivre la tendance de miniaturisation de l’IoT, il faut néanmoins toujours avoir recours à de la mémoire externe comme tampon de données pour répondre aux hautes capacités de traitement exigées par les application IoT.

Mais le développement de SDRAM et pSRAM traditionnelles est désormais à maturation et ne peut plus être optimisé pour les nouvelles applications IoT. Par ailleurs la migration de process des DRAM est basée sur les nouveaux produits JEDEC DDRx/LPDDRx. L’HyperRAM de Winbond repose sur un process 38nm et descendra jusqu’à 25nm. Si l’on considère les besoins de disponibilité à long terme des applications automobiles et industrielles, l’évolution technologique du process HyperRAM de Winbond répond aux besoins de longévité


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