Vers la fin des capteurs CMOS bientôt remplacés par des capteurs Quantum-dot

19 novembre 2015 //Par Electronique-ECI
Vers la fin des capteurs CMOS bientôt remplacés par des capteurs Quantum-dot
Après neuf années de travail et ayant recueilli plus de 100 millions $ de financement de capital-risque, InVisage a lancé un capteur 13 mégapixels qui utilise un film Quantum-dot (points quantiques) plutôt que du silicium pour capturer des images.

InVisage Technologies Inc. (Menlo Park, en Californie.), a été fondée en 2006 avec pour objectif de développer un matériau photosensible capable de remplacer le silicium. Le 11 novembre à Beijing, la société a lancé le premier capteur d'image électronique au monde utilisant un matériau Quantum-dot au lieu du silicium pour capter la lumière. InVisage Technologies cible le marché des smartphones pour commencer, mais prétend que son capteur a le potentiel pour remplacer tous les capteurs d'image CMOS dans toutes les applications.

Si la capture de lumière à base de points quantiques est réellement supérieure à celle de  photodiodes silicium d'un ordre de grandeur comme annoncé par InVisage - cela pourrait représenter le début de la fin pour les capteurs d'image CMOS qui se sont constitué un marché considérable grâce à l'intégration d'appareils photo dans les téléphones mobiles. InVisage affirme que son capteur Quantum13 rendra obsolescente la technologie de capteurs CMOS.

Lors du lancement à Pékin, InVisage Technologies a présenté des prototypes de smart phones utilisant le capteur Quantum13. Bien qu'InVisage ait refusé de donner tout nom, Jess Lee PDG de l'entreprise, a déclaré à eeNews Europe, que la Quantum13 est produit en échantillons actuellement et que plusieurs fabricants de smart phones vont recevoir des volumes de masse au 4Q15.

Le matériau utilisé pour le Quantum-dot est de type II-VI, un chalcogénure métallique qui absorbe la lumière sur une large bande, a déclaré Lee. Et avec le confinement quantique produit en utilisant des nanoparticules du matériau assemblées dans un matériau de support optiquement transparent, il devient une photodiode très efficace et permet des films plus minces que la profondeur active des photodiodes de silicium conventionnelles. Selon Lee, il faut seulement 0,5 micron de  profondeur de QuantumFilm à comparer aux 2 ou 3 microns de profondeur pour la photodiode au silicium.


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