Transistors à effet de champ au nitrure de gallium dédiés à l’automobile avec gestion active de la puissance: Page 2 of 2

20 novembre 2020 //Par A.Dieul
Transistors à effet de champ au nitrure de gallium dédiés à l’automobile avec gestion active de la puissance
Texas Instruments étoffe son portefeuille de dispositifs de gestion de l’alimentation haute tension en y ajoutant des transistors à effet de champ (FET) au nitrure de gallium (GaN) de 650 V et 600 V, dédiés aux applications automobiles et industrielles. Grâce à un pilote de grille intégré de 2,2 MHz à commutation rapide, cette nouvelle famille de transistors FET GaN aide les ingénieurs à doubler la densité de puissance de leurs systèmes, à garantir une disponibilité de 99 % et à réduire de 59 % la taille des composants magnétiques de puissance par rapport aux solutions existantes.

« Les applications industrielles et automobiles réclament de plus en plus de puissance dans un espace de plus en plus réduit, et les ingénieurs doivent proposer des systèmes de gestion de l’alimentation éprouvés, capables de fonctionner de manière fiable sur toute la durée de vie de l’équipement final – qui est longue » explique Steve Lambouses, vice-président chargé de l’alimentation haute tension chez TI. « Grâce à ses performances étayées par plus de 40 millions d’heures de fonctionnement sur différents appareils et plus de 5 GWh de conversion de puissance dans le cadre de tests d’applications, la technologie au nitrure de gallium de TI offre la fiabilité de fonctionnement à long terme dont les ingénieurs ont besoin, quel que soit leur secteur. »

Doubler la puissance volumique avec moins de composants

Sur les applications haute tension et haute densité, optimiser le gain de place sur le circuit imprimé est un facteur de conception important. À mesure que les systèmes électroniques se miniaturisent, leurs composants doivent également devenir plus petits et se rapprocher les uns des autres. Le nouveau transistor FET en nitrure de gallium de TI intègre un pilote à commutation rapide ainsi que des fonctions de protection interne et de détection de température, permettant aux ingénieurs de proposer des systèmes de gestion de l’alimentation ultra performants tout en réduisant la place qu’ils occupent sur les circuits imprimés. Grâce à ce pilote, ainsi qu’à la puissance volumique élevée de la technologie au nitrure de gallium de TI, ils peuvent éliminer plus de 10 composants généralement nécessaires sur les solutions de base. De plus, chacun de ces nouveaux transistors FET 30 mΩ peut gérer une conversion de puissance maximale de 4 kW dans une configuration en demi-pont. 

www.ti.com/LMG3425R030-pr-eu

www.ti.com/LMG3525R030-Q1-pr-eu


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