Toshiba Memory Europe dévoile des dispositifs UFS à mémoire Flash 3D 64 couches

08 janvier 2018 //Par A. Dieul
Toshiba Memory Europe dévoile des dispositifs UFS à mémoire Flash 3D 64 couches
Toshiba Memory Europe a commencé à échantillonner des dispositifs UFS (Universal Flash Storage) utilisant la mémoire flash 3D de pointe BiCS FLASH de Toshiba Memory Corporation. Ces nouveaux dispositifs UFS répondent aux exigences de performance des applications nécessitant une lecture/écriture rapide et une faible consommation, notamment les appareils mobiles comme les smartphones ou les tablettes, ainsi que les systèmes de réalité virtuelle ou augmentée.

La nouvelle gamme sera disponible en quatre capacités : 32 Go, 64 Go, 128 Go et 256 Go. Tous ces dispositifs intègrent une mémoire Flash et un contrôleur dans un même boîtier à la norme JEDEC, de 11,5 x 13 mm. Le contrôleur assure la correction d’erreur, le nivellement d'usure, la conversion logique-physique d'adresse et la gestion des blocs défectueux, ce qui permet aux utilisateurs de simplifier le développement système.

Ces quatre dispositifs sont conformes à la norme JEDEC UFS Ver2.1, y compris HS-GEAR3, dont la vitesse d'interface théorique peut atteindre 5,8 Gbits/s par voie (2 voies = 11,6 Gbits/s) sans augmentation de la consommation. Les performances en lecture et en écriture séquentielle du dispositif 64 Go sont respectivement de 900 Mo/s et 180 Mo/s, tandis que les performances en lecture et en écriture aléatoire sont respectivement de 200 % et de 185% de celles de la génération précédente. Grâce à son interface série, l’UFS supporte le full-duplex, ce qui permet à la fois la lecture et l'écriture simultanée, entre le processeur hôte et le périphérique UFS.

https://toshiba.semicon-storage.com


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