Substrats POI de Soitec pour les filtres RF 5G Qualcomm

08 juillet 2020 //Par D. Cardon
Sbstrat POI de Soitec pour les filtres RF 5G Qualcomm
Soitec a annoncé la signature d’un accord commercial avec Qualcomm Technologies pour l’approvisionnement de substrats innovants piézoélectriques-sur-isolant (POI) pour les filtres RF 4G et 5G. Ce substrat apporte une forte valeur ajoutée aux filtres 5G des smartphones pour les marchés de masse.

Le substrat POI de Soitec choisi pour ses qualités pour les filtres RF

Le POI est un substrat innovant fabriqué grâce à la technologie brevetée Smart Cut de Soitec en 150 mm. À sa base se trouve un substrat de silicium à haute résistivité, agrémenté d’une couche d’oxyde dite enterrée et d’une couche fine et uniforme de matériau piézoélectrique monocristallin sur le dessus. Les substrats POI de Soitec ont été conçus pour fabriquer la dernière génération de filtres 4G/5G à ondes acoustiques de surface (SAW), offrant performance et compensation de température intégrée.

Sécuriser l’approvisionnement pour la nouvelle génération de filtres RF de Qualcomm Technologies

Après plusieurs années de collaboration avec Qualcomm Technologies, Soitec a conclu un accord afin d’augmenter le volume de production des plaques POI qui seront utilisées pour les filtres RF Qualcomm® ultraSAW  de Qualcomm Technologies destinés aux modules front end RF des smartphones. Pour Qualcomm, grâce à la technologie de Soitec, ils repoussent encore les limites de leur technologie de filtres RF ultraSAW et celle de leurs multiplexeurs à haut rendement intégrant plusieurs fonctions de filtrage. Qualcomm sécurise ses approvisionnement et Soitec à une visibilité totale sur sa production.

https://www.soitec.com/fr  -   https://www.qualcomm.com/


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