STMicroelectronics et TSMC veulent accélérer l’adoption du GaN

24 février 2020 //Par A.Dieul
STMicroelectronics et TSMC veulent accélérer l’adoption du GaN
STMicroelectronics et TSMC, le plus grand fondeur de semiconducteurs au monde, annoncent leur collaboration en vue d'accélérer le développement du procédé technologique en nitrure de gallium (GaN) et la livraison de composants discrets et de circuits intégrés en GaN pour les besoins du marché. Dans le cadre de cette collaboration, les produits innovants et stratégiques conçus par ST en nitrure de gallium seront fabriqués en utilisant le procédé technologique avancé en GaN de TSMC.

Le nitrure de gallium (GaN) est un matériau semiconducteur à large bande (WBG — Wide Band Gap) qui apporte aux applications de puissance des avantages considérables par rapport aux semiconducteurs traditionnels à base de silicium. Parmi ces avantages figure notamment une efficacité énergétique supérieure à des niveaux de puissance plus élevés, avec à la clé, une réduction substantielle des pertes d’énergie parasites. La technologie GaN permet également de concevoir des dispositifs plus compacts pour des formats plus flexibles. De plus, les circuits en GaN commutent à des vitesses jusqu’à 10 fois supérieures à celles des composants en silicium tout en pouvant fonctionner à des pics de température plus élevés. Grâce à ses caractéristiques robustes et intrinsèques, le nitrure de gallium dispose de solides atouts pour s’imposer à grande échelle dans les secteurs en pleine évolution de l’automobile, de l’industriel et des télécommunications, ainsi que dans certaines applications d’électronique grand public dans des gammes de tension (clusters) de 100 V et 650 V.

Spécifiquement, les produits réalisés dans les technologies GaN et GaN de puissance permettront à ST de fournir des solutions pour applications de puissance moyenne et élevée qui afficheront un rendement énergétique supérieur aux technologies en silicium basées sur les mêmes topologies, parmi lesquelles les convertisseurs pour l’automobile et les chargeurs pour véhicules électriques et hybrides. Les technologies de puissance et circuits intégrés en GaN contribueront à accélérer la tendance majeure que constitue l’électrification des véhicules particuliers et commerciaux.

« En tant que leader à la fois dans les technologies microélectroniques large bande et les semiconducteurs de puissance destinés aux marchés exigeants de l’automobile et de l’industriel, ST a identifié une importante opportunité en accélérant le développement et la livraison du procédé technologique en GaN et en mettant sur le marché des produits de puissance et des circuits intégrés en nitrure de gallium. TSMC est un partenaire de confiance qui dispose des moyens de fonderie uniques pour répondre aux exigences en matière de


Vous êtes certain ?

Si vous désactivez les cookies, vous ne pouvez plus naviguer sur le site.

Vous allez être rediriger vers Google.