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STMicro se renforce dans le GaN avec Exagan 

STMicro se renforce dans le GaN avec Exagan 

Actualités économiques |
Par eeNews Europe



STMicro a signé un accord pour acquérir une participation majoritaire dans Exagan, dont l’expertise en épitaxie, en développement de produits et en savoir-faire en matière d’applications pourrait contribuer à élargir et à accélérer la feuille de route GaN Power de ST. Exagan continuera d’exécuter sa feuille de route produit et sera soutenu par ST dans le déploiement de ses produits.
Les conditions de la transaction n’ont pas été divulguées et la clôture de l’acquisition reste soumise aux approbations réglementaires habituelles des autorités françaises. L’accord prévoit également l’acquisition par ST de la participation minoritaire restante dans Exagan 24 mois après la clôture de l’acquisition de la participation majoritaire. La transaction est financée par les liquidités disponibles.

«STMicro a donné une forte impulsion au carbure de silicium (SiC) et se développe désormais dans un autre matériau composé prometteur, le nitrure de gallium (GaN), pour stimuler l’adoption de composants de puissance à base de GaN», a déclaré Jean-Marc Chery, président-directeur général de STMicroelectronics. «Elle vient s’ajouter aux développements en cours avec CEA-Leti à Tours, en France, et à la collaboration récemment annoncée avec TSMC.»
Le nitrure de gallium (GaN) appartient à la famille des matériaux à large bande interdite (WBG) qui comprennent également le carbure de silicium (SiC). Les dispositifs basés sur GaN représentent une avancée majeure dans l’électronique de puissance fournissant un fonctionnement à haute fréquence, avec une efficacité accrue et une densité de puissance plus élevée par rapport aux transistors à base de silicium, ce qui conduit à des économies d’énergie et à une réduction totale de la taille du système. Les produits GaN devraient répondre à une grande variété d’applications telles que la correction du facteur de puissance et les convertisseurs CC/CC dans les serveurs, les applications télécoms et industrielles, les chargeurs embarqués pour Véhicules Electriques et les convertisseurs CC-CC pour les applications automobiles, ainsi que les applications électroniques personnelles comme les adaptateurs d’alimentation.
Fondée en 2014 et basée à Grenoble (France), Exagan se consacre à accélérer la transition de l’industrie de l’électronique de puissance de la technologie à base de silicium à la technologie GaN sur silicium, permettant des convertisseurs électriques plus petits et plus efficaces. Ses interrupteurs de puissance GaN sont conçus pour permettre une fabrication dans les usines de plaquettes standard de 200 mm.
 

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www.exagan.com

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