STM et le CEA développent la technologie « GaN-sur silicium » pour des applications de conversion de puissance
STMicroelectronics et le CEA , annoncent leur coopération en vue d’industrialiser des technologies « nitrure de gallium sur silicium » (GaN-on-Si) pour circuits de commutation de puissance. Cette technologie GaN-on-Si de puissance permettra à ST de répondre aux exigences d’applications à haut rendement et de forte puissance, telles que les chargeurs embarqués pour véhicules hybrides et électriques, les chargeurs sans fil et serveurs.
Cette collaboration se concentre sur le développement et la qualification d’architectures avancées de diodes et transistors de puissance en GaN sur silicium sur des plaquettes de 200 mm, dont le cabinet d’études IHS Markit estime que le marché devrait se développer à un taux de croissance annuel composé (TCAC) de plus de 20 % de 2019 à 2024 . Dans le cadre de l’Institut de recherche technologique IRT Nanoelec, ST et le CEA développent ensemble cette technologie sur la ligne de R&D 200 mm du CEA et tablent sur une validation des échantillons d’ingénierie en 2019.
De plus, en raison de l’intérêt que suscite la technologie GaN-on-Si pour les applications de puissance, le CEA et ST évaluent actuellement des techniques avancées permettant d’améliorer les possibilités de conditionnement pour l’assemblage de modules à haute densité de puissance.
« Avec sa plateforme générique en 200 mm, l’équipe du CEA-Leti s’engage pleinement à soutenir la feuille de route stratégique de ST pour l’électronique de puissance en GaN-on-Si et est prête à transférer la technologie vers la ligne de fabrication dédiée dont est équipé le site ST de Tours. Ce développement conjoint auquel participent les équipes des deux partenaires s’appuie sur le programme de l’IRT Nanoelec pour élargir l’expertise nécessaire et innover d’emblée au niveau des composants et des systèmes », a déclaré Emmanuel Sabonnadière, directeur du CEA-Leti.
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