ROHM présente un nouveau boîtier de MOSFET SiC 4 broches

17 octobre 2019 //Par A.Dieul
ROHM présente un nouveau boîtier de MOSFET SiC 4 broches
ROHM a annoncé la disponibilité de six nouveaux MOSFET SiC à structure de grille dite « trench » (650 V/1200 V), la série SCT3xxx xR-Serie, idéale pour la gestion des alimentations des serveurs, onduleurs, des onduleurs d’énergie solaire et des stations de recharge pour VE requérant une efficacité élevée. La série SCT3xxx xR fait appel à un boîtier 4 broches (TO-247-4L) maximisant les performances de commutation, permettant de réduire les pertes de commutation de jusqu’à 35 % par rapport aux types de boîtiers conventionnels à 3 broches (TO-247N). Cela contribue à réduire la consommation d’énergie dans de nombreuses applications.

Ces dernières années, les besoins croissants de services de cloud dus à la prolifération de l’IA et de l’IoT ont accru la demande de centres de données dans le monde entier. Mais pour les serveurs utilisés dans les centres de données, un défi majeur est de savoir comment réduire la consommation d’énergie à mesure que la capacité et les performances augmentent. Dans le même temps, les composants SiC attirent l’attention en raison de leur meilleur efficacité et les faibles pertes par rapport aux appareils grand public utilisant des composants silicium dans les circuits de conversion d’énergie des serveurs. De plus, comme le boîtier TO-247-4L permet de réduire les pertes de commutation par rapport aux boîtiers conventionnels, il devrait être adopté dans les applications à haut rendement telles que les serveurs, les stations de base et la production d’énergie solaire.
En 2015 ROHM, est devenue le premier fournisseur à réussir la production en masse de MOSFET SiC de type  « Trench », et continue à être le leader de l’industrie dans le développement de ce type de technologie . En plus de ces derniers MOSFET SiC 650 V/1200 V hautes performances, nous nous engageons à développer des appareils innovants et à proposer des solutions qui contribuent à réduire la consommation d’énergie de nombreux appareils, y compris des circuits intégrés de commande de de grille (Gate Driver) optimisés pour la commande SiC.
ROHM propose aussi des solutions qui facilitent l’évaluation d’application, incluant une carte d’évaluation de MOSFET SiC,  P02SCT3040KR-EVK-001, équipée d’un circuit intégré de commande de grille (BM6101FV-C) ainsi que de multiples circuits intégrés d’alimentation et des composants discrets optimisés pour la commande d’appareils SiC. 

Gamme
La série SCT3xxx xR se compose de MOSFET SiC utilisant une structure de grille  « Trench ». Six modèles sont proposés, avec une tension de rupture de 650 V (3 produits) ou 1200 V (3 produits).
La carte d’évaluation de MOSFET SiC de ROHM (P02SCT3040KR-EVK-001)


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