Première DRAM gravée en classe 10 nm de 3e génération

27 mars 2019

Par Alain Dieul

En seulement 16 mois depuis le début de la production en série de la DDR4 de 8 Gb en classe 10 nm (1y nm) le développement de la DDR4 de 8 Gb en 1z nm sans procédé de gravure Extreme Ultra-Violet (EUV) repousse encore les limites de la miniaturisation des mémoires DRAM.

La gravure en 1z nm étant la plus fine du secteur, Samsung peut désormais répondre aux demandes croissantes du marché avec sa nouvelle DRAM DDR4 qui offre une productivité industrielle 20 % supérieure à celle de la version précédente. La production en série de la DDR4 de 8 Gb en 1z nm devrait commencer au cours du second semestre de l’année pour les serveurs d’entreprise et les ordinateurs haut de gamme de prochaine génération qui seront lancés en 2020.

« Notre détermination à surmonter les plus grands défis technologiques nous a toujours poussés à innover davantage. Nous sommes ravis d’avoir à nouveau jeté les bases d’une production stable de DRAM de nouvelle génération offrant ce qui se fait de mieux en matière de performances et d’efficacité énergétique », a déclaré Jung-Bae Lee, vice-président exécutif des produits et technologies DRAM de Samsung Electronics. « En élargissant sa gamme de mémoires DRAM en 1z nm, Samsung entend soutenir le déploiement des systèmes de pointe de ses clients du monde entier et encourager l’expansion des mémoires haut de gamme sur le marché. »

Le développement par Samsung d’une DRAM en 1z nm ouvre la voie à une transition informatique mondiale plus rapide vers l’utilisation d’interfaces DRAM de nouvelle génération (DDR5, LPDDR5 et GDDR6, par ex.) qui seront au cœur des innovations numériques de demain. Dotés de capacités et de performances supérieures, d’autres produits gravés en 1z nm verront bientôt le jour, ce qui permettra à Samsung de renforcer sa compétitivité et son leadership sur le marché des mémoires DRAM haut de gamme pour des applications telles que les serveurs ou les dispositifs graphiques et mobiles.