Première DRAM gravée en classe 10 nm de 3e génération: Page 2 of 2

28 mars 2019 //Par A.Dieul
Première DRAM gravée en classe 10 nm de 3e génération
Leader mondial en technologie avancée de mémoire, Samsung Electronics Co., Ltd. a annoncé la mise au point de la première DRAM de 3e génération du marché, à double débit de données 4 (DDR4) de huit gigabits, gravée en classe 10 nanomètres.

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