Power Integrations commercialise ses circuits InnoSwitch3 au nitrure de gallium
Les circuits intégrés quasi-résonants InnoSwitch3-CP, InnoSwitch3-EP et InnoSwitch3-Pro conjuguent les circuits primaire, secondaire et de contre-réaction dans un boîtier CMS unique. Concernant les nouveaux composants incorporés dans la gamme commercialisée, les commutateurs GaN viennent remplacer les transistors haute tension au silicium traditionnels du côté primaire du circuit intégré, ce qui réduit les pertes de conduction lorsque le courant circule et diminue considérablement les pertes de commutation en cours de fonctionnement. D’où une réduction substantielle du gaspillage d’énergie, et par conséquent un meilleur rendement et davantage de puissance grâce au boîtier miniature InSOP-24D.
Destinés aux applications Flyback à haut rendement, notamment les adaptateurs et chargeurs USB-PD et à haute intensité pour appareils mobiles, boîtiers décodeurs, écrans, appareils grand public et produits de réseaux et de jeux, ces nouveaux circuits intégrés assurent une régulation fiable à tension constante/intensité constante/puissance constante, indépendamment des composants externes et facilitent l’interfaçage avec les circuits intégrés incorporant des protocoles de charge rapide. Les variantes InnoSwitch3-CP et EP sont configurables par matériel tandis que la version InnoSwitch3-Pro dispose d’une interface numérique sophistiquée pour commander par logiciel les points de consigne de tension constante et de courant constant, la gestion des exceptions et les options de modes de sécurité.
Selon Balu Balakrishnan, PDG de Power Integrations : « La technologie GaN est essentielle pour gagner en rendement et en miniaturisation par rapport au silicium. Nous prévoyons une conversion rapide des transistors au silicium vers la technologie GaN pour de nombreuses applications d’alimentation. Depuis le lancement des variantes au silicium il y a 18 mois, InnoSwitch3 est un leader technologique incontestable sur le marché des commutateurs hors ligne et les nouveaux composants au nitrure de gallium (GaN) confortent cette avance en apportant des gains de rendement et de puissance à nos produits Flyback ».
Système de commande de grille pour modules à double alimentation IGBT et SiC
Circuits intégrés de commande de moteur CC sans balais haute tension avec un rendement de 98,5 %
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