MOSFET SiC de 4e génération très faible résistance à l’état passant : Page 2 of 2

02 juillet 2020 //Par A.Dieul
MOSFET SiC de 4e génération très faible résistance à l’état passant
ROHM annonce la mise en point de la 4ème génération 1200V SiC MOSFET, optimisée pour les groupes motopropulseurs automobiles, y compris l’onduleur d’entraînement principal, ainsi que pour les alimentations électriques pour les équipements industriels.

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