MOSFET SiC de 4e génération très faible résistance à l’état passant

02 juillet 2020 //Par A.Dieul
MOSFET SiC de 4e génération très faible résistance à l’état passant
ROHM annonce la mise en point de la 4ème génération 1200V SiC MOSFET, optimisée pour les groupes motopropulseurs automobiles, y compris l’onduleur d’entraînement principal, ainsi que pour les alimentations électriques pour les équipements industriels.

Ces dernières années, le foisonnement des véhicules électriques de nouvelle génération (VEx) a accéléré le développement de systèmes électriques plus petits, plus légers et plus efficaces. En particulier, l’amélioration de l’efficacité tout en réduisant la taille de l’onduleur principal – qui joue un rôle central dans le système d’entraînement – reste l’un des principaux défis, nécessitant des progrès plus poussés dans les composants électroniques. Pour relever ces différents défis, les concepteurs ont urgemment besoin de composants de puissance SiC capables de fournir une haute tension de tenue avec de faibles pertes. Mais pour les semiconducteurs, il y a souvent un compromis à trouver entre une résistance à l’état passant et un temps de tenue aux courts-circuits, ce qui est nécessaire pour trouver un équilibre permettant d'obtenir des pertes plus faibles des MOSFET SiC. ROHM a su améliorer cette relation de compromis et réduire la résistance à l’état passant par unité de surface de 40 % par rapport aux produits conventionnels sans sacrifier le temps de résistance aux courts-circuits en améliorant encore une structure à double tranchée originale. De plus, la réduction significative de la capacitance parasitique (ce qui est un problème durant la commutation) rend possible de réaliser une perte de commutation 50 % plus basse en comparaison avec notre génération précédente de MOSFET SiC.

Par conséquent, les nouveaux MOSFET SiC de 4e génération de ROHM sont capables de fournir une faible résistance à l’état passant avec des performances de commutation haute vitesse, contribuant à une plus grande miniaturisation et une consommation de courant plus basse dans de nombreuses applications, y compris les onduleurs automobiles et les alimentations de puissance de commutation. Des échantillons de puces nues sont disponibles depuis juin 2020, avec des boîtiers discrets disponibles dans un proche avenir.

www.rohm.com/eu

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