MOSFET SiC 900V et 1200V pour applications exigeantes

02 avril 2020 //Par A.Dieul
MOSFET SiC 900V et 1200V pour applications exigeantes
ON Semiconductor a élargi sa gamme de composants WBG (Wide Band Gap) avec l'introduction de deux nouvelles familles de MOSFET SiC (Silicon Carbide). Destinés à un certain nombre d'applications exigeantes en forte croissance, notamment les onduleurs photovoltaïques, les chargeurs embarqués de véhicules électriques (VE), les alimentations sans coupure (UPS), les alimentations de serveurs et les stations de recharge de VE, ces nouveaux composants offrent des niveaux de performance hors de portée des MOSFET silicium (Si).

Les nouveaux MOSFET SiC canal-N 900V et 1200V d'ON Semiconductor assurent une commutation plus rapide et offrent une fiabilité accrue par rapport à leurs homologues silicium. Une diode intrinsèque rapide à faible charge de récupération inverse permet de réduire considérablement les pertes, d'augmenter la fréquence opérationnelle maximale, et aussi d'augmenter la densité de puissance dans son ensemble. 

Le fonctionnement aux fréquences élevées est encore amélioré par la petite taille de la puce, qui entraîne une réduction de la capacité du dispositif et aussi de la charge de grille Qg (seulement 220 nC), qui réduit à son tour les pertes de commutation aux fréquences élevées. Tous ces facteurs améliorent le rendement, réduisent les perturbations électromagnétiques par rapport aux MOSFET à base Si, et permettent d’utiliser des composants passifs à la fois plus petits et en moindre nombre.  Ces MOSFET SiC très robustes peuvent encaisser des surtensions plus élevées, autorisent un courant d'avalanche plus fort, et résistent mieux aux courts-circuits que les dispositifs Si. Ceci leur confère une plus grande fiabilité et une durée de vie plus longue, qui sont extrêmement intéressantes pour les applications de puissance modernes les plus exigeantes. La tension directe inférieure permet un allumage sans seuil, qui réduit les pertes statiques se produisant quand le dispositif est passant.

Les MOSFET SiC 1200 V présentent un courant maximal (ID max) de 103 A, contre 118 A pour les modèles 900 V. Pour les applications nécessitant des courants plus élevés, ces MOSFET ON Semiconductor peuvent facilement être montés en parallèle, grâce à leur coefficient de température positif qui les rend relativement insensibles à la température.

www.onsemi.com


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