Module de puissance intelligent Cissoid SiC triphasé

23 mars 2020 //Par A.Dieul
Module de puissance intelligent SiC triphasé
Cissoid annonce une nouvelle plateforme de modules de puissance intelligents triphasés basés sur des transistors en Carbure de Silicium (SiC) pour la mobilité électrique. Cette nouvelle technologie offre une solution intégrée incluant un module de puissance triphasé basé sur des transistors SiC MOSFET et leurs gate drivers.Grâce à un co-design électrique, mécanique et thermique du module de puissance et de la commande de proximité, cette plateforme configurable accélerera l'adoption par les fabricants automobiles ou de moteurs électriques d'onduleurs SiC afin de gagner en efficacité et en compacit é. Avec ce module de puissance intelligent basé sur la technologie SiC, CISSOID maintient son focus sur des solutions innovantes adressant les défis des marchés automobiles et industriels.

Le premier produit basé sur cette nouvelle plateforme, un module de puissance intelligent triphasé 1200V/450A intégrant des transistors MOSFET SiC, offre de faibles pertes de conduction, avec une résistance On de 3.25mOhms, et de faibles énergies de commutation, respectivement 8.3mJ au turn-on et 11.2mJ au turn-off à 600V/300A. Les pertes sont ainsi réduites d'au moins un facteur 3 par rapport à un module IGBT équivalent. Ce nouveau module de puissance est refroidi par eau au travers d'une semelle ultra-légère en AlSiC avec pin fin offrant une résistance thermique jonction-fluide de 0.15°C/W. Le module de puissance est spécifié pour une température de jonction maximum de 175°C. Le module résiste à des tensions supérieures à 3600V (50Hz, 1min).

Le gate driver intégré au module inclut 3 alimentations isolées (une par phase) délivrant chacune jusqu'à 5W et permettant de piloter aisément le module de puissance jusque 25KHz à de températures ambientes jusque 125°C. Avec un courant de grille en pointe de 10A et une très bonne immunité aux dV/dt (>50KV/µs), le gate driver permet une commutation rapide du module de puissance et de faibles pertes de commutation.  Des fonctions de protection telles que l'Undervoltage Lockout (UVLO), l'Active Miller Clamping (AMC), la détection de désaturation ou le Soft-Shut-Down (SSD) permettent d'assurer une commande sure et fiable du module de puissance même en cas d'évenements non désirés. 

« Le développement de modules de puissance SiC à commutation rapide intégrant une commande rapprochée sure et fiable reste un défi » commente Dave Hutton, CEO de Cissoid. « Avec ce nouveau module de puissance intelligent basé sur la technologie SiC, fruit d'années d'expérience dans le développement de modules de puissance et de gate drivers pour les environnements les plus extrêmes, nous sommes heureux d'échantillonner nos premiers modules aux utilisateurs prêts à adopter la technologie SiC et de contribuer ainsi à la transition de l'industrie automobile vers des solutions de mobilité électrique plus efficaces ».

www.cissoid.com

Circuits intégrés Cissoid haute température pour l´automobile

Carte gate driver Cissoid

 


Vous êtes certain ?

Si vous désactivez les cookies, vous ne pouvez plus naviguer sur le site.

Vous allez être rediriger vers Google.