Mémoire 7nm empilée en boîtier 3D

09 septembre 2020 //Par D. Cardon
Mémoire 7nm empilée en boîtier 3D
Samsung Electronics a  lancé une technologie de boîtier de circuits intégrés 3D  pour la mémoire SRAM à 7 nm et au-delà.

La technologie eXtended-Cube (X-Cube), qui sera présentée lors de la conférence HotChips et sur la vidéo ci-dessous, utilise la technologie TSV ( through-silicon via ) de Samsung et vise des applications comme la 5G, l'intelligence artificielle, le calcul de performance, ainsi que les équipements mobile et portable.

Pour Moonsoo Kang, vice-président senior stratégie du marché de la fonderie chez Samsung Electronics : «Notre  technologie d’intégration 3D garantit des interconnexions TSV fiables, même au niveau des nœuds de processus EUV de pointe. Nous nous engageons à apporter davantage d’innovations dans le packaging  des circuits intégrés 3D afin de repousser les limites des semiconducteurs.»

La puce de test X-Cube produite en 7 nm utilise la technologie TSV pour empiler la SRAM sur une puce logique, libérant de l'espace pour contenir  plus de mémoire dans une empreinte réduite. La conception du boîtier ultra-mince offre des chemins de signal nettement plus courts entre les matrices pour une vitesse de transfert de données et une efficacité énergétique maximisées. Les clients peuvent également adapter la bande passante et la densité de la mémoire aux spécifications souhaitées.

La méthodologie et le flux de conception de Samsung X-Cube sont désormais disponibles pour les nœuds avancés, y compris 7 nm et 5 nm. S'appuyant sur la conception initiale, Samsung prévoit de continuer à collaborer avec des clients mondiaux afin de faciliter le déploiement de solutions 3D de circuits intégrés dans les applications haute performance de nouvelle génération.

Samsung

 

 

 


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