Intel retarde à nouveau le passage au 10 nm: Page 2 of 2

13 mai 2018 //Par A Delapalisse
Intel retarde à nouveau le passage au 10 nm
Les affaires d'Intel tirent sur tous les cylindres mais la loi de Moore a des ratés. La société, qui a récemment annoncé un chiffre d'affaires Q1 de 1 milliard de dollars supérieur aux estimations de Wall Street, a décidé de réinitialiser le timing de son nœud de processus de prochaine génération à 10 nanomètres. Intel a déclaré que la production en volume serait repoussé de la seconde moitié de 2018 à 2019.

 

"Si quelqu'un d'autre obtenait 70% d'amélioration sur un nœud technologique, il ne renommerait sans doute le nœud", a déclaré M. Krzanich lors de la conférence téléphonique. "Et nous avons toujours choisi d'être vraiment transparent et de dire simplement que c'est une amélioration par rapport à une technologie existante, plutôt que de renommer [le nœud].

Des problèmes de fabrication font obstacle à la prochaine génération de puces d'Intel. Intel utilise encore une technologie appelée lithographie par ultraviolets profonds, qui projette des faisceaux de lumière intenses sur des plaquettes de silicium, générant des motifs de gravure là où la lumière se pose. Pour produire des transistors plus petits, il utilise une technique appelée multi-patterning, qui ajoute plusieurs étapes au processus, ce qui augmente le risque de défauts.

Plus il y a de défauts sur les plaquettes de silicium, plus le rendement est faible. Intel doit éliminer ces erreurs pour contrôler les coûts de fabrication. Il s'agit de la dernière génération de puces de l'entreprise avant de passer à la lithographie ultraviolette extrême (EUV), qui peut condenser le nombre d'étapes de "patterning" en utilisant des longueurs d'onde de lumière plus faibles.

Dans le même temps, les concurrents sont arrivés dans les talons d'Intel. Les deux plus grandes fonderies au monde, TSMC et GlobalFoundries, ont récemment commencé la production en série de puces basées sur des processus de 7 nm. Et les analystes disent que leur technologie pourrait rivaliser avec la technologie 10nm d'Intel, qui est plus rapide mais coûte probablement un peu plus cher par transistor. Samsung travaille également sur la fabrication 7nm.

"Alors que le processus 10nm d'Intel est encore plus len retard que prévu, l'ancien avantage industriel de la société est en train de disparaître", a écrit Linley Gwennap, analyste principal chez The Linley Group, dans un récent bulletin. "Intel ne peut plus compter sur une technologie de fabrication supérieure pour donner à ses produits un avantage sur le marché."

Intel a déclaré que son processus 10nm peut graver 100,8 millions de transistors sur chaque millimètre carré de silicium, une mesure que la société a poussé comme une nouvelle référence pour l'industrie des semi-conducteurs. De nouveaux benchmarks sont probablement nécessaires car les noms de nœuds ne sont plus en ligne avec les fonctionnalités des transistors.

Intel a essayé de compenser la fin de la loi de Moore par des progrès dans la densité des transistors. Les transistors à l'intérieur des puces 14nm d'Intel peuvent avoir une densité de placement 2,4 fois supérieure à celle de la génération précédente basée sur le processus 20nm. La compagnie vise à amplifier agressivement la densité des transistors encore 2.7 fois avec son noeud 10nm, a dit Krzanich.
 

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