Carte gate driver Cissoid

09 mai 2019 //Par A.Dieul
Carte gate driver Cissoid
Cissoid propose une nouvelle carte gate driver, optimisée pour les modules de puissance MOSFET SiC (carbure de silicium) de 62 mm, résistante à 125°C (Ta). Cette carte, basée sur le chipset gate driver HADES est aussi capable de piloter des modules de puissance IGBT, tout en offrant de la marge au niveau de la conception thermique des convertisseurs de puissance haute densité destinés aux applications automobiles ou industrielles.

Elle permet une commutation haute fréquence (> 100 KHz) et rapide (dV/dt > 50 KV/µs) des MOSFET SiC, ce qui améliore le rendement et réduit la taille et le poids des convertisseurs de puissance. La carte, conçue pour les environnements les plus hostiles, supporte la commande de modules de puissance 1.200V et 1.700V grâce à une tension d'isolation jusqu'à 3.600V (50 Hz, 1 min) et à une distance de fuite de 14 mm. Plusieurs fonctions de protection comme le verrouillage en cas de tension insuffisante (UVLO pour Under Voltage Lock Out), la protection AMC (pour Active Miller Clamp) et la détection de dé-saturation, assurent un pilotage en toute sécurité et une protection fiable du module de puissance en cas de défaut. « Cette nouvelle carte gate driver SiC est l’aboutissement de plusieurs années de développement en collaboration avec des leaders des marchés de l'automobile, du transport et de l'aéronautique. Elle combine l'expertise de CISSOID dans le domaine des dispositifs SiC et sa longue expérience dans la conception de puces et de systèmes électroniques pour environnements sévères » déclare Etienne Vanzieleghem, Vice-Président Ingénierie chez Cissoid. 

www.cissoid.com/new-products/

CISSOID remplace les composants devenus obsolètes

Module de puissance 60 A /1200 V haute température

Gate driver isolé pour applications à haute densité de puissance


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