Antaois startup grenobloise MRAM-SOT a levé 11 millions de dollars

21 septembre 2020 //Par A Delapalisse
Antaois startup grenobloise MRAM-SOT a levé $11 millions
Antaios SA (Grenoble, France), une startup créée en 2017 travaillant sur le développement de MRAM-SOT (spin-orbite-torque) a obtenu un financement de 11 millions de dollars.

Le financement de la startup Antois travaillant sur des MRAM-SOT spin-orbite-torque est porté par les sociétés de capital-risque françaises Innovacom et Sofimac Innovation, ainsi que Applied Ventures LLC, la branche capital-risque du fournisseur d'équipements de fabrication de puces Applied Materials Inc. Un financement supplémentaire provient également de Bpifrance (Banque publique d'investissement française) et d'autres banques partenaires.

Applied Materials, en partenanriat avec ARM Ltd., est un grand partisan du développement de la technologie MRAM, et a également investi des sommes considérables dans Spin Memory Inc. (Fremont, Californie).

La technologie SOT-MRAM représente une étape de développement supplémentaire au-delà de la MRAM STT (spin-torque transfer) . Elle offre la promesse du cycle d'endurance exceptionnel requis pour devenir la mémoire non volatile universelle embarquée tant attendue.

"Ce financement est une étape clé pour Antaios, reconaissant la valeur de notre technologie et l'intérêt de l'industrie pour SOT en tant que MRAM de nouvelle génération, qui résout les limites de ses implémentations actuelles", a déclaré Jean-Pierre Nozières, PDG d'Antaios, dans une déclaration.

Michael Stewart, directeur des investissements chez Applied Ventures, a rejoint le conseil d'administration d'Antaios en tant qu'observateur. Il a déclaré: "Applied Ventures soutient le développement continu de technologies de mémoire embarquée basées sur la logique, telles que la MRAM, qui offrent une faible consommation, des performances élevées et une endurance élevée pour l'Internet des objets et les dispositifs d'IA edge."

En permettant simultanément une vitesse de fonctionnement élevée et une endurance de lecture / écriture infinie, SOT a le potentiel de remplacer à la fois la mémoire non volatile intégrée et le cache SRAM dans les microcontrôleurs, les microprocesseurs et les conceptions de système sur une puce.

Si la SOT-MRAM pouvait être utilisée pour remplacer la SRAM dans les registres, les bascules, les mémoires bloc-notes très proches et à l'intérieur des circuits logiques, cela pourrait avoir un impact majeur sur la façon de fonctionner des processeurs. La MRAM a déjà l'avantage de la non-volatilité

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