Accélération sur la technologie GaN sur silicium pour soutenir le déploiement des infrastructures 5G

04 mars 2019 //Par A.Dieul
Accélération sur la technologie GaN sur silicium pour soutenir le déploiement des infrastructures 5G
MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. et STMicroelectronics annoncent l'expansion, en 2019, de la capacité de production de plaquettes en nitrure de gallium sur silicium (GaN-on-Silicon) en 150 mm dans les usines de fabrication de ST, et en 200 mm en fonction de la demande. Cette expansion a pour but de soutenir le déploiement des infrastructures réseau télécoms 5G dans le monde entier. Ceci s'inscrit par ailleurs dans le prolongement de l'accord signé par MACOM et ST début 2018 portant sur le GaN sur silicium.

Le déploiement mondial des réseaux 5G et l'adoption de configurations d'antennes M-MIMO (Massive-MIMO - Multiple Input, Multiple Output) devraient entraîner une augmentation significative de la demande en composants de puissance RF. MACOM prévoit notamment que le nombre d'amplificateurs de puissance nécessaires sera multiplié par 32 à 64. De plus, cette hausse devrait multiplier par plus de trois le contenu en dollars des investissements consacrés aux infrastructures 5G au cours d'un cycle de cinq années, avec à la clé, selon les estimations, une division du coût par amplificateur par 10 à 20.

« Les principaux équipementiers spécialisés dans la fabrication des stations de base savent qu'ils ont besoin des performances large bande du GaN, qui permet également un changement des structures de coûts et de capacités de production suffisantes pour atteindre leurs objectifs de coût, de portée et d'efficacité énergétique sur le terrain. En collaborant avec ST, nous sommes convaincus que MACOM est particulièrement bien placé pour atteindre tous ces objectifs, que ce soit en termes de performances, de coûts ou d'approvisionnement en grands volumes », a déclaré John Croteau, President et CEO de MACOM. « Nous prévoyons que notre investissement conjoint en capacité de production additionnelle à ce stade précoce nous positionne pour satisfaire jusqu'à 85 % des besoins inhérents au déploiement mondial de la 5G. »

« ST s'est doté d'une base solide avec sa position de leader mondial dans le domaine du carbure de silicium, et nous allons aujourd'hui de l'avant avec la technologie RF en GaN sur silicium, qui permettra aux équipementiers de bâtir une nouvelle génération de réseaux 5G de haute performance », a déclaré Marco Monti, President, Groupe Produits Automobiles et Discrets, STMicroelectronics. « Si le carbure de silicium convient idéalement à certaines applications de puissance telles que la conversion de puissance en environnement automobile, le GaN sur silicium conjugue les performances RF, les volumes et les structures de coûts commerciaux indispensables pour que la 5G soit une réalité. Dans cette perspective, ST et MACOM entendent éliminer les


Vous êtes certain ?

Si vous désactivez les cookies, vous ne pouvez plus naviguer sur le site.

Vous allez être rediriger vers Google.