Le GaN prend le relais du silicium pour les circuits de puissance haute fréquence et à haut rendement

20 janvier 2020 //Par Yong Ang, Directeur Marketing Stratégique, ON Semiconductor
Le GaN prend le relais du silicium pour les circuits de puissance haute fréquence et à haut rendement
La densité de puissance est un des critères clés de toutes les applications d’électronique de puissance, et progresse en grande partie grâce à des rendements supérieurs et des fréquences de commutation plus élevées. Alors que la technologie silicium atteint ses limites d’évolution, les concepteurs se tournent désormais vers les technologies nécessitant plus d’énergie pour permettre à un électron de passer de la bande de valence à la bande de conduction, comme le nitrure de gallium (GaN), pour trouver des solutions.
Yong Ang, ON Semiconductor

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