Adaptation des drivers de grille de transistors de puissance GaN en mode enrichissement

31 juillet 2019 //Par Yong Ang, Directeur Marketing Stratégique, ON Semiconductor
Adaptation des drivers de grille de transistors de puissance GaN en mode enrichissement
Les dispositifs à base de nitrure de gallium (GaN) sont ce qui se rapproche le plus du commutateur semiconducteur idéal, puisqu’ils assurent une conversion d’énergie avec un rendement très élevé, et donc avec une densité de puissance élevée. Cependant, les dispositifs GaN ne sont à certains égards pas aussi robustes que ceux issus des technologies silicium classiques, et doivent donc être mis en œuvre avec soin, et avec un driver de grille adapté, pour fournir des performances et une fiabilité optimales. Cet article examine les problèmes posés, et présente une solution pour réduire les risques au niveau conception.
Yong Ang, ON Semiconductor,

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