STMicro en partenariat avec le Leti pour le GaN en volume sur 200mm

03 octobre 2018 // Par A Delapalisse
STMicroelectronics s'est associé au laboratoire de recherche français Leti pour développer la technologie du nitrure de gallium dans des applications de puissance sur des tranches de silicium de 200 mm pour une production en grand volume.

Cette technologie de puissance GaN-sur-Si permettra à ST d'adresser des applications à haute efficacité et haute puissance, notamment les chargeurs embarqués automobiles pour véhicules hybrides et électriques, la charge sans fil et les serveurs

La collaboration porte sur le développement et la qualification des architectures de diodes et de transistors GaN sur silicium de puissance sur des plaquettes de 200 mm au lieu des plaquettes de 150 mm actuellement utilisées ce qui permettra un production plus élevée et plus économique. La firme de recherche IHS Markit estime que ce marché devrait croître à un TCAC supérieur à 20% de 2019 à 2024.

CMOS FAB COMPATIBLE GaN GOES TO 200MM WAFERS, COULD REACH 300MM

Dans le cadre du projet IRT Nanoelec, ST et le Leti développent la technologie de fabrication sur la ligne de recherche et développement de 200 mm du Leti et prévoient la validation des échantillons d'ingénierie en 2019. Parallèlement, ST mettra en place une ligne de fabrication entièrement qualifiée, comprenant une hértéro-épitaxie GaN / Si, avec une première production dans l'usine de fabrication de plaquettes de ST à Tours, en France, d'ici 2020. Le Leti, un institut de recherche du CEA Tech, a également apporté sa technologie GaN de puissance à la start-up française, Exagan.

Le substrat de silicium n'est qu'une partie du défi. Le Leti et le ST étudient également de nouvelles techniques pour améliorer le conditionnement des puces lors de l'assemblage de modules d'alimentation haute densité de puissance.

«Reconnaissant la valeur incroyable des semi-conducteurs à large bande interdite, les contributions de ST au CEA-Leti dans les technologies de fabrication et d'assemblage des composants de puissance GaN-sur-Si nous permettent de disposer du portefeuille le plus complet du marché en matière de produits et de capacités GaN et SiC, en plus de notre compétence confirmée pour fabriquer des produits fiables et de haute qualité en volume », a déclaré Marco Monti, président de Automotive and Discrete Group, STMicroelectronics.

«S’appuyant sur la plate-forme générique 200 mm du Leti, l’équipe du Leti s’engage pleinement à soutenir la feuille de route stratégique de l’électronique de puissance GaN-sur-Si de ST et est prête à transférer la technologie sur la ligne de fabrication dédiée de GaN-sur-Si de ST à Tours. Ce co-développement, impliquant des équipes des deux côtés, exploite le programme-cadre IRT Nanoelec pour élargir l'expertise requise et innover dès le départ au niveau des composants et des systèmes », a déclaré Emmanuel Sabonnadiere, PDG de Leti.

à suivres: GaN RF et SiC


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