Samsung ouvre la voie à l’ère des puces mémoires V-NAND de 1 térabit

09 août 2017 // Par A. Dieul
Samsung a annoncé une puce mémoire V-NAND de 1 Tb qui devrait être commercialisée l’an prochain. Mentionnée la première fois en 2013, lors du dévoilement de la première mémoire NAND 3D du domaine, Samsung a œuvré depuis à amener ses technologies de base à une capacité mémoire d’un térabit sur une seule puce grâce à une structure V-NAND.

L’arrivée, l’an prochain, de la puce V-NAND de 1 Tb rendra possible des mémoires de 2 To serties dans un seul boîtier V-NAND en superposant 16 matrices de 1 Tb, ce qui constituera l’une des plus importantes avancées de la décennie dans le domaine des mémoires.