Samsung finalise la qualification de sa technologie de gravure 10 nm de 2ème génération

21 avril 2017 // Par A. Dieul
Samsung Electronics vient d’annoncer que sa technologie FinFET de gravure 10 nanomètres (nm) de 2ème génération 10LPP (Low Power Plus) a été qualifiée et qu'elle est prête pour la production. Grâce aux améliorations apportées à la structure FinFET 3D, le 10LPP offre 10% de performances en plus ou 15% de consommation d'énergie en moins par rapport à la technologie 10LPE de première génération avec la même échelle de surface.

Samsung a été le premier du secteur à lancer la production en volume de produits SoC (système sur puce) basés sur le 10LPE (Low Power Early) en octobre dernier. Les smartphones Samsung Galaxy S8 les plus récents intègrent certains de ces SoC.

Pour répondre aux besoins à long terme en matière de gravure 10 nm d'un large éventail d’utilisateurs, Samsung a commencé à installer le matériel de production dans sa ligne S3 la plus récente, à Hwaseong en Corée. Cette ligne devrait être prête pour la production au quatrième trimestre de cette année.

"Avec la réussite de la production du 10LPE, nous avons commencé à produire le 10LPP pour maintenir notre leadership sur le marché des fonderies de nœuds technologiques avancés," a déclaré Ryan Lee, vice-président marketing chez Samsung Electronics. "Le 10LPP va devenir notre principale technologie de gravure pour les applications mobiles, informatiques et réseau haute performance. Samsung continuera à offrir les technologies de gravure de logique les plus avancées."

www.samsung.com/semiconductor