ROHM dévoile son IGBT 3e génération

19 mai 2017 // Par A. Dieul
ROHM Semiconductor a présenté la technologie de la famille IGBT 650V 3e génération qui, grâce à sa structure la plus avancée et à ses caractéristiques avantageuses, offre une solution idéale pour la commutation progressive à haut rendement dans les applications industrielles et les appareils ménagers.

Les semi-conducteurs de puissance disposant des technologies IGBT, qui sont déployés dans de nombreux types d'applications haute tension, sont de plus en plus populaires. L'objectif de ces composants est d'atteindre le haut rendement et la fiabilité tout en conservant de faibles niveaux de pertes. En élargissant sa gamme existante d'IGBT haute capacité en courant avec une tension de saturation plus basse et une commutation plus rapide, ROHM introduit aujourd'hui sa 3 e génération d'IGBT haut rendement. Les nouveaux dispositifs utilisent une structure de puce électronique plus fine ainsi que des technologies propriétaires de limitation de champ électrique et de grille en tranchée pour des performances à l’état de l’art permettant de répondre au besoin croissant de commutation haute fréquence.

Basés sur une structure avancée de limitation de champ, les IGBT 650V 3 e génération de ROHM offrent un gradient de concentration de porteurs moins important dans la région de dérive, entraînant une meilleure distribution du courant porteur. Une tension de saturation plus faible et une commutation plus rapide sont alors possibles, ce qui permet de s'affranchir des compromis entre tension de saturation et perte de coupure des solutions conventionnelles.

ROHM a également appliqué une structure de grille en tranchée sophistiquée qui réduit la charge et la capacité de la grille. Une structure de dopage et de cellule optimisée, combinée à une puce 15 % plus fine par rapport à la 2 e génération, réduit la perte totale de l'appareil de manière significative. Lors de la phase conductrice, la concentration de porteurs est moins importante, entraînant la réduction des pertes de commutation pendant les coupures. En outre, les nouveaux dispositifs conservent un comportement de commutation progressive, même à faible résistance de grille externe. Les résultats de mesure indiquent un faible bruit tout en parvenant à conserver une vitesse de commutation supérieure. La miniaturisation et les caractéristiques supérieures entraînent une réduction de la tension de saturation de 6 % et des pertes de commutation pendant