MOSFET SiC 1 Ohm de 1 700 V

04 octobre 2018 // Par A.Dieul
Littelfuse, Inc. présente le LSIC1MO170E1000, son premier MOSFET SiC de 1700 V, qui vient étoffer son offre de solutions MOSFET SiC actuelle. Le LSIC1MO170E1000, ajout important à la gamme de produits MOSFET SiC de Littelfuse, est une solution puissante qui complète l’offre de diodes Schottky et de MOSFET SiC de 1200 V déjà disponible de la société.

Les utilisateurs finaux profitent ainsi de systèmes plus compacts affichant un meilleur rendement énergétique, associés à un coût d'exploitation total potentiellement inférieur.

Le rendement élevé des technologies MOSFET SiC offre de nombreux avantages pour une multitude d'applications exigeantes, telles que les véhicules électriques et hybrides, les datacenters et les alimentations auxiliaires. Comparé aux IGBT SiC d’une puissance nominale comparable, le MOSFET SiC offre des occasions d’optimisation au niveau du système, notamment un rendement et une densité énergétique accrus, des exigences de refroidissement réduites et des coûts système potentiellement inférieurs.

« Ce produit peut améliorer les applications existantes, et le réseau d'assistance en applications de Littelfuse peut faciliter les nouveaux projets de conception », déclare Michael Ketterer, Directeur marketing mondial des produits Semi-conducteurs au sein de la division Semi-conducteurs de Littelfuse. « Les MOSFET SiC sont une alternative prometteuse aux transistors de puissance basés Si traditionnels. Leur structure permet de bénéficier de pertes de commutation par cycle inférieures et d’un rendement à faible charge amélioré comparés aux IGBT d'une puissance nominale équivalente. Les propriétés intrinsèques de ses matériaux permettent au MOSFET SiC de surclasser ses homologues MOSFET Si en termes de tension de blocage, de résistance spécifique et de capacité de jonction.»

littelfuse.com

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