Gate Drivers pour MOSFET SiC

15 mai 2017 // Par A. Dieul
ROHM Semiconductor dévoile une nouvelle gamme de Gate Driver pour MOSFET de puissance. Le premier produit lancé de cette série, le BM61S40RFV est un Gate Driver qualifié AEC-Q100 avec une isolation de 3,75 kV, conçu spécifiquement pour un MOSFET de puissance SiC de ROHM et fournissant une solution optimisée pour les circuits de puissance robuste utilisés dans les applications industrielles et automobiles.

Le nouveau dispositif est doté d’un courant de sortie de 4 A, d’un clamp Miller actif intégré évitant les effets d’allumage parasitaires et d’une protection de verrouillage de sous-tension (UVLO), caractéristique de sécurité fondamentale pour empêcher les dommages potentiels sur les commutateurs d'alimentation, dus à l'emballement thermique. L'intégration de cette fonction dans la commande de grille permet l'optimisation de la BOM externe et garantit la conformité avec les exigences spécifiques liées aux applications industrielles et automobiles pour une sécurité renforcée.

Les concepteurs ont la possibilité d'optimiser la BOM externe aussi bien que l'espace sur la carte de circuit imprimé tout en réduisant l'effort global de conception. D'autre part, la fonctionnalité intégrée améliore les performances de l'étage pilote ainsi que la fiabilité du système grâce à des niveaux d’interférences électromagnétiques (EMI) et des effets de couplage réduits. La compatibilité de brochage avec BM60015FV-LB et BM60016FV-C offre une flexibilité de conception et apporte des solutions durables et évolutives. Pour parfaire la conception de l'étage de commande de grille, le BD7F100HFN est le CI idéal pour la mise en œuvre d'un convertisseur CC/CC indirect compact et puissant pour alimenter la partie isolée de la commande. ROHM fournit une carte d'évaluation au format réduit et à l'efficacité prouvée associant un BD7F100HFN avec le nouveau CI à commande de grille BM61S40RFV.

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