" Le besoin en logiciels plus évolués et en stockage accru de données dans les téléphones intelligents et les tablettes se faisant de plus en plus pressant, les fabricants d'appareils mobiles doivent introduire en 2012 des solutions de mémoire intégrée qui offrent de meilleurs performances et des densités plus élevées ", a déclaré Myungho Kim, vice-président de memory marketing, Device Solutions, Samsung Electronics. " Samsung va en outre accélérer la croissance du marché des appareils mobiles en élargissant le segment des mémoires avancées et en proposant en 2012 une gamme plus étendue de solutions eMCP ". Les solutions MCP intégrées de Samsung sont des boîtiers composés d'une e-MMC (Embedded MultiMediaCard[TM]) de 4 Go basée sur une mémoire flash NAND classe 20 nm pour le stockage des données et un choix de mémoires DRAM LPDDR2 de 256 Mo, 512 Mo ou 768 Mo, classe 30 nm pour la prise en charge d'appareils mobiles haute performance.
La puce DRAM LPDDR2 classe 30 nm dans la nouvelle carte eMCPs joue un rôle clé pour améliorer la performance des téléphones intelligents entrée de gamme à gamme intermédiaire avec une vitesse de transmission des données de 1066 mégabits par seconde, soit le double de la performance de la mémoire DRAM (MDDR) mobile précédente dans l'industrie. Par comparaison à une mémoire DRAM LPDDR2 classe 40 nm, la nouvelle mémoire DRAM LPDDR2 classe 30 nm améliore la performance de 30 % environ, tout en consommant 25 % en moins d'énergie. L'application de la technologie de gravure en classe 30 nm améliore aussi la productivité de fabrication de la puce de 60 % par rapport à la gravure en classe 40 nm.
Samsung prévoit que les livraisons de téléphones intelligents vont rapidement croître pour passer de 460 millions d'unités en 2011 à 770 millions d'unités en 2013. De même, les livraisons de téléphones intelligents haut de gamme devraient dépasser 400 millions d'unités et celles des téléphones bas de gamme à gamme intermédiaire 200 millions d'unités.
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