MENU

Samsung présente la première mémoire UFS de 128 Go pour téléphones intelligents

Samsung présente la première mémoire UFS de 128 Go pour téléphones intelligents

Par eeNews Europe



La mémoire UFS utilise "Command Queue", une technologie qui accélère l’exécution des commandes dans les SSD via une interface série. Les vitesses de traitement des données sont ainsi considérablement plus rapides par rapport à la norme eMMC basée sur une interface parallèle 8 bits. Par conséquent, la mémoire UFS de Samsung offre une vitesse de lecture aléatoire de 19 000 IOPS (opération d’entrée/sortie par seconde), c’est-à-dire 2,7 fois plus que l’eMMC 5.0, la mémoire intégrée la plus courante des téléphones intelligents haut de gamme actuels. Elle fournit également une augmentation des vitesses de lecture et d’écriture séquentielles comparable à celles des SSD, en consommant moitié moins d’énergie. Par ailleurs, elle est 12 fois plus rapide en lecture aléatoire que les cartes mémoire haute vitesse courantes qui atteignent 1500 IOPS. Les performances systèmes devraient ainsi être sensiblement améliorées.
Avec ses 14 000 IOPS en écriture aléatoire de données pour le stockage, cette mémoire UFS est 28 fois plus rapide qu’une carte mémoire externe conventionnelle. Elle assure une lecture fluide de vidéos Ultra HD tout effectuant des opérations multitâches sans à-coups, ce qui améliore sensiblement l’expérience mobile.


"Grâce à notre production en série des mémoires UFS ultra-rapides offrant la capacité la plus élevée du secteur, nous améliorons considérablement l’expérience mobile du grand public," a déclaré Jee-ho Baek, directeur général du marketing des mémoires de Samsung Electronics. "Notre objectif est de développer la proportion de solutions mémoire haute capacité, ceci afin de consolider notre position de leader sur le marché en pleine évolution des mémoires haut de gamme."
Cette mémoire UFS est proposée en versions 128 Go, 64 Go et 32 Go, le double de la capacité de sa gamme eMMC. Elle représente donc actuellement la solution de mémoire de stockage la plus avancée pour les appareils mobiles haut de gamme. En outre, pour plus grande souplesse de conception, le module mémoire intégrée UFS ePoP peut être empilé directement sur une puce logique en occupant environ 50 % moins de place.

www.samsung.com/semiconductor

Si vous avez apprécié cet article, vous aimerez les suivants : ne les manquez pas en vous abonnant à :    ECI sur Google News

Partager:

10s