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Le CEA met au point une technologie LED pour micro-écrans à très haute luminosité

Le CEA met au point une technologie LED pour micro-écrans à très haute luminosité

Par eeNews Europe



« Les dispositifs de micro-écrans pour les lunettes informatives et applications tête haute compactes actuellement disponibles souffrent de limitations technologiques importantes, empêchant la conception de produits légers, compacts et économes en énergie », explique Ludovic Poupinet, chef du département Optique et Photonique du CEA-Leti. « Avec la première démonstration d’un écran micro-LED à très haute luminosité et forte résolution capable de surmonter ces limitations et pouvant être produit en série, le Leti a fait une avancée capitale. Cette technologie fournit une solution de pointe peu coûteuse aux entreprises évoluant sur les marchés des dispositifs des systèmes de visualisation nomades, en croissance rapide. »

Une luminosité 100 à 1 000 fois supérieure aux niveaux existants
L’innovation du CEA-Leti, annoncée lors de la Display Week 2015 de San José, en Californie, s’appuie sur des matrices à micro-LED hybridées sur un circuit d’adressage en silicium. Le produit intègre d’autres innovations-clés : croissance épitaxiale de couches de GaN sur du saphir, micro-structuration des matrices de LED (pixels de 10 microns ou moins), et hybridation des matrices LED sur un circuit silicium. Ces innovations permettent d’obtenir une luminance d’un million de cd/m² en affichage monochrome et de 100 Kcd/m² pour les affichages couleur, d’une résolution de 2,5 millions de pixels, sur un dispositif de moins de 2,5 centimètres. Cela représente un facteur d’amélioration de 100 à 1 000 par rapport aux micro-écrans émissifs actuels, avec une excellente efficacité énergétique. La technologie permettra également de fabriquer des produits très compacts, réduisant de manière importante les contraintes d’intégration système. 


Le processus de fabrication des écrans micro-LED haute densité a été développé en coopération avec le III-V Lab.

À propos du III-V Lab (France)
Le III-V lab est un laboratoire commun entre Alcatel-Lucent, Thales et le CEA, dédié à la recherche sur les composants opto-électroniques et micro-électroniques faisant appel aux technologies de semi-conducteurs III-V et à leur intégration sur silicium. Créé en 2004 sous la forme d’un Groupement d’Intérêt Economique, le III-V lab regroupe 120 chercheurs en région parisienne et coopère activement avec les laboratoires du CEA-Leti à Grenoble. Doté de moyens de prototypage et d’amorçage de production, le III-V lab permet l’émergence de technologies de composants à forte valeur ajoutée qui sont ensuite transférées vers les entités industrielles des maisons-mères ou de leurs partenaires.

www.3-5lab.fr 

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