Nitrure de gallium : une ascension électrisante

06 décembre 2017 // Par Mark Patrick, Mouser Electronics
La technologie du nitrure de gallium (GaN) est exploitée depuis de nombreuses années. Initialement utilisé pour traiter les caractéristiques haute fréquence des systèmes radio les plus performants, ce composé a ensuite permis l’essor de la production LED,avant de commencer à démontrer, ces dernières années, sa valeur en matière de systèmes d’alimentation. Dans cet article, nous explorerons l’impressionnant bagage du GaN. La large bande interdite inhérente au GaN en fait une solution adaptée aux opérations haute vitesse à 60/70 GHz. Cette technologie a initialement été déployée pour des applications de communication par micro-ondes avec la commercialisation d’appareils développés par des sociétés telles que Wolfspeed (division de Cree). Les chercheurs de l’Université de Bristol développent actuellement des transistors à haute mobilité d’électrons (HEMT), constitués d’un dépôt de GaN sur un substrat de diamant, destinés aux réseaux cellulaires 5G et 6G nouvelle génération. Cette large bande interdite a également fait du GaN un composé de choix pour les appareils à LED. Des sociétés telles que Broadcom/Avago, ST Microelectronics et LiteOn ont exploité cette technologie pour optimiser le rendement et la durée de vie des systèmes d’éclairage à semi-conducteurs.
Mark Patrick, Mouser Electronics,