Les condensateurs de puissance se renforcent pour cohabiter avec les semiconducteurs à bande interdite large

10 septembre 2018 // Par Reggie Phillips, Responsable Gamme de Produits, KEMET
Les MOSFET, les diodes de redressement et les IGBT sont indispensables pour répondre aux contraintes de puissance, de température et de coût, imposées dans le domaine de la conversion d'énergie. Alors que la demande de rendement supérieur passe avant tout, et que le coût de l'énergie continue d'augmenter, des technologies comme que le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN) sont devenues plus rentables. En outre, avec le développement des marchés, les économies d'échelle continuent de rendre les transistors et les diodes SiC et GaN plus attractifs sur un plan économique. Etant donné que ces dispositifs sont de plus en plus souvent présents dans les circuits de puissance, en particulier dans l’électroménager et les commandes moteur de VE (véhicule électrique), les inverteurs d'injection au réseau électrique et les alimentations de centres de données, les concepteurs doivent tenir compte de leurs effets sur les autres éléments du circuit, notamment sur les composants passifs comme les condensateurs, et considérer la manière dont ils doivent être conçus pour optimiser les gains de rendement et assurer la fiabilité.
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Reggie Phillips, KEMET,
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